Oxygen partial pressure-dependent growth mechanism of low-dimensional zinc oxide on indium tin oxide glass
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Tuayjaroen R., Rattana T., Jutarosaga T.
ผู้เผยแพร่: Elsevier
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2019
วารสาร: Materials Science in Semiconductor Processing (1369-8001)
Volume number: 101
หน้าแรก: 116
หน้าสุดท้าย: 123
จำนวนหน้า: 8
นอก: 1369-8001
eISSN: 1873-4081
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
The influence of O2 partial pressure on the growth mechanism of quasi-one-dimensional thermal-evaporated ZnO structure was explained by the preferential interface nucleation. At the relatively low temperature of 550 ฐC, the growth was governed by different growth mechanisms as the O2 partial pressure increased. At a very low O2 partial pressure of 0.3 Pa, the growth of ZnO nanowire on indium-tin oxide glass was Au-catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mechanism instead of vapor-solid (VS) mechanism. As increasing O2 partial pressure to 3 and 6 Pa, the ZnO needle-like structure was grown by self-catalyzed VLS mechanism. While, the VS mechanism was suggested for ZnO micropillar and two-dimensional ZnO sheet grown with the O2 partial pressure of 9 Pa and above. The near band edge (NBE) at 3.26 eV from the photoluminescence (PL) spectra strongly depended on the as-grown structure. In addition, PL at 2.32 eV corresponded to the ZnO defects due to the oxygen vacancies within 14 nm beneath the one-dimensional ZnO surface. ฉ 2019
คำสำคัญ
Indium tin oxide glass, Quasi-one-dimensional zinc oxide structure
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่